کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
11016423 | 1777112 | 2018 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of temperature of storage, write and read operations on multiple level cells NAND flash memories
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper presents an analysis of the reliability of 20â¯nm technology NAND Flash memory components based on Multiple Level Cells (MLC). The focus of the study is to assess the influence of temperature during programming, storage and reading operations. In order to reach this goal, several memories were programmed once at many temperatures ranging from â40â¯Â°C to 85â¯Â°C, then they have been stored powered off in one case and have been activated in reading in the other case, under different thermal stresses.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volumes 88â90, September 2018, Pages 61-66
Journal: Microelectronics Reliability - Volumes 88â90, September 2018, Pages 61-66
نویسندگان
Julien Coutet, François Marc, Flavien Dozolme, Romain Guétard, Aurélien Janvresse, Pierre Lebossé, Antonin Pastre, Jean-Claude Clement,