کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
11016482 | 1777112 | 2018 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of sample preparation on intrinsic stresses inside a model Chip - First results of partial decapsulation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The given project is to benchmark typical preparation methods under the aspect of the influence of initial intrinsic stresses inside electronic components. Micro milling - and laser-decapsulation in combination with plasma etching were chosen as preparation methods. Raman spectroscopy has been applied as well as the piezo resistive read out on a specifically designed model stress monitoring chip. The results of the analysis at each manufacturing step of the model chip and the first investigations of partial decapsulation are presented.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volumes 88â90, September 2018, Pages 299-303
Journal: Microelectronics Reliability - Volumes 88â90, September 2018, Pages 299-303
نویسندگان
T. Schaffus, P. Albert, W. Breuer, D. Debie, M. Graml, C. Hollerith, F. Kroninger, W. Mack, H. Pfaff, M. Schaffus, J. Walter,