کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
11016504 | 1777112 | 2018 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Impact of carbon impurities on the initial leakage current of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have systematically studied the origin of high gate-leakage currents in AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs). Devices that initially had a low gate-leakage current (good devices) are compared with ones that had a high gate-leakage current (bad devices). The apparent zero-bias Schottky barrier height of bad devices (0.4â¯<â¯ÏB0â¯<â¯0.62â¯eV) was found to be lower than that of the good devices (ÏB0â¯=â¯0.79â¯eV). From transmission electron microscopy (TEM) and electron energy loss spectroscopy (EELS) analysis, we found that this difference is due to the presence of carbon impurities in the nickel layer in the gate region.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volumes 88â90, September 2018, Pages 393-396
Journal: Microelectronics Reliability - Volumes 88â90, September 2018, Pages 393-396
نویسندگان
W.A. Sasangka, Y. Gao, C.L. Gan, C.V. Thompson,