کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
11016509 | 1777112 | 2018 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Stability and robustness of InAlGaN/GaN HEMT in short-term DC tests for different passivation schemes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
On-wafer short term step-stress tests were carried out to evaluate InAlGaN/GaN HEMT devices. Three types of transistor were studied, each one having a specific two dielectric layer passivation. The results of these tests demonstrate that the upper layer of the passivation has a strong impact on the ageing of the devices. When the upper layer is an Al2O3 Atomic Layer Deposited one, the transistors show a better stability of their electrical parameters than those passivated with the other stacks.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volumes 88â90, September 2018, Pages 418-422
Journal: Microelectronics Reliability - Volumes 88â90, September 2018, Pages 418-422
نویسندگان
M. Oualli, C. Dua, O. Patard, P. Altuntas, S. Piotrowicz, P. Gamarra, C. Lacam, J.-C. Jacquet, L. Teisseire, D. Lancereau, E. Chartier, C. Potier, S.L. Delage,