کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
11016522 1777112 2018 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Experimental characterization of critical high-electric field spots in power semiconductors by planar and scanning collimated alpha sources
ترجمه فارسی عنوان
خصوصیات تجربی نقاط میدان الکتریکی بحرانی در نیمه هادی های قدرت توسط منابع آلفا
کلمات کلیدی
قابلیت اطمینان و قدرت دستگاه قدرت، نقاط ضعف حامل انتقالی، منبع آلفای پلارا و کولیمیت، اسکن منبع آلفا،
ترجمه چکیده
رخداد نقاط بحرانی، که در آن ضرب های حامل به علت میدان الکتریکی بالا محلی رخ می دهد، می تواند برای قدرت و قابلیت اطمینان دستگاه های قدرت بسیار زیان آور باشد، زیرا مکانیزم های شکست خورده مانند خروج از رویداد تنها در این مکان ها ممکن است آغاز شود. تکنیک های تجزیه و تحلیل سنتی مانند تجزیه و تحلیل دیجیتال، میکروسکوپ عکسبرداری، الکترون و پروب نوری اولین انتخاب برای تشخیص حضور نیستند و به طور خاص برای قرار دادن چنین نقاط بحرانی به دلیل عدم حساسیت آنها و یا از مجازات های مربوطه به علت فلز شدن ضخیم رنج می برند لایه ها در سطح دستگاه ها. در سال های اخیر، تلاش های موفق توسط پرتوهای یون پر انرژی بالا ساخته شده است. با این وجود، چنین روشهای پروبندی هسته ای نیازمند امکانات پیشرفته پیچیده مانند شتاب دهنده ذرات، تحت شرایط خلاء بالا عمل می کنند و از اثرات آسیب تابشی ایمن نیستند. در این مقاله، استفاده از منابع آلفای مسطح و کولیمیتی را برای ارزیابی حضور و تعیین نقاط بالقوه بالقوه در نیمه هادی های قدرت پیشنهاد می کنیم. نشان داده شده است که تکنیک پیشنهادی فقط نیاز به تجهیزات اساسی اسپکترومتری را فراهم می کند و حساسیت کافی و وضوح فضا را برای برآورده شدن نیازهای تحلیلی فراهم می کند.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش مقاله
خصوصیات تجربی نقاط میدان الکتریکی بحرانی در نیمه هادی های قدرت توسط منابع آلفا
چکیده انگلیسی
The occurrence of critical spots, where carriers' multiplication occurs due to the local high-electric field can be very detrimental for the robustness and the reliability of power devices, since catastrophic failure mechanisms like Single Event Burnout can be initiated at these locations. Traditional analytical techniques like DC analysis, photoemission microscopy, electron, and optical probing are not the first choice to detect the presence and in particular to locate such critical spots because they either lack in sensitivity, or they suffer from relevant penalties due to the thick metallization layers at the surface of the devices. In recent years, successful attempts have been made by finely focused high-energy ion beams. However, such nuclear probing techniques require advanced complex facilities like particle accelerators, operate under high vacuum conditions, and are not immune to radiation damage effects. In this paper, we propose the use of planar and collimated alpha sources to assess the presence and to locate critical high-field spots in power semiconductors. It is shown, that the proposed technique just requires basic spectrometry equipment and provides sufficient sensitivity and space resolution to fulfill all analytical requirements.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volumes 88–90, September 2018, Pages 476-481
نویسندگان
, , ,