کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
11016523 | 1777112 | 2018 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Bias voltage criteria of gate shielding effect for protecting IGBTs from shoot-through phenomena
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper, we propose the criteria of bias voltage from parasitic capacitance and demonstrate the criteria in an experiment with the present IGBT. The bias voltage criteria are theoretically predicted for the new generation IGBT based on the scaling principle. For safe switching, the required gate voltage bias is predicted to be â1.2â¯V or less for the present IGBTs andâ¯ââ¯6â¯V or less is required to completely cancel the gate noise voltage. From the IGBT design, the bias voltage of scaling IGBT requires â2â¯V to completely cancel the gate noise voltage.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volumes 88â90, September 2018, Pages 482-485
Journal: Microelectronics Reliability - Volumes 88â90, September 2018, Pages 482-485
نویسندگان
M. Tsukuda, S. Abe, K. Hasegawa, T. Ninomiya, I. Omura,