کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
11029631 | 1646476 | 2018 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Air-stable and balanced split-gate organic transistors
ترجمه فارسی عنوان
ترانزیستورهای آلی با پایه و پایدار با پایدار و پایدار
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
نیمه هادی دو طرفه، چند دروازه دستگاه، پایدار هوا، اثرات در معرض هوا،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
چکیده انگلیسی
This study suggests a design methodology for air-stable ambipolar materials such that the HOMO/LUMO level of the ambipolar material is 0.3-0.5â¯eV higher than the target value to compensate for an eventual upward shift that occurs when the device is exposed to ambient air. Based on the methodology, we demonstrate air-stable split-gate OTFTs that show balanced p/n characteristics after â¼120â¯h of air exposure.204
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 63, December 2018, Pages 200-206
Journal: Organic Electronics - Volume 63, December 2018, Pages 200-206
نویسندگان
Hocheon Yoo, Masahiro Nakano, Sungmin On, Hyungju Ahn, Han-Koo Lee, Kazuo Takimiya, Jae-Joon Kim,