کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
11031991 | 1645698 | 2018 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Experimental hysteresis in memristor based Duffing oscillator
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک آماری و غیرخطی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
This paper presents a practical implementation of a memristor based Duffing oscillator. We replace a diode based nonlinear element by a simple flux-controlled memristor in an existing circuit early proposed.We model the current-voltage characteristic and show experimentally that our circuit presents, for the same forcing amplitude, a route to chaos on the falling branch of the hysteresis loop, while its dynamics remains regular on the raising branch. This observation clearly highlights the memory effect of the memristor.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Chaos, Solitons & Fractals - Volume 115, October 2018, Pages 190-195
Journal: Chaos, Solitons & Fractals - Volume 115, October 2018, Pages 190-195
نویسندگان
B. Bodo, J.S. Armand Eyebe Fouda, A. Mvogo, S. Tagne,