کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
11262917 | 1802916 | 2018 | 20 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modulation-doped ZnO as high performance electron-selective layer for efficient silicon heterojunction solar cells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Modulation-doped ZnO as high performance electron-selective layer for efficient silicon heterojunction solar cells Modulation-doped ZnO as high performance electron-selective layer for efficient silicon heterojunction solar cells](/preview/png/11262917.png)
چکیده انگلیسی
Solution-processed Li-doped ZnO films with precisely tunable work function (from 4.15 to 3.85â¯eV) are used as insertion layers in n-Si/a-Si:H/Al stack, leading to great reduction of the contact resistivity and a high selectivity in electron extraction.227
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nano Energy - Volume 54, December 2018, Pages 99-105
Journal: Nano Energy - Volume 54, December 2018, Pages 99-105
نویسندگان
Zilei Wang, Yang Yang, Longfei Zhang, Hao Lin, Zhi Zhang, Dan Wang, Shanglong Peng, Deyan He, Jichun Ye, Pingqi Gao,