کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
11360866 | 1511680 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
EXAFS and electrical studies of new narrow-gap semiconductors: InTe1âxSex and In1âxGaxTe
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: EXAFS and electrical studies of new narrow-gap semiconductors: InTe1âxSex and In1âxGaxTe EXAFS and electrical studies of new narrow-gap semiconductors: InTe1âxSex and In1âxGaxTe](/preview/png/11360866.png)
چکیده انگلیسی
The local environment of Ga, Se and Tl atoms in InTe-based solid solutions was studied by EXAFS technique. It was shown that all investigated atoms are substitutional impurities, which enter the In(1), Te and In(2) positions in the InTe structure, respectively. The electrical measurements revealed that In1âxGaxTe and InTe1âxSex solid solutions become semiconductors at x>0.24 and >0.15, respectively.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Physics and Chemistry of Solids - Volume 61, Issue 12, December 2000, Pages 2007-2012
Journal: Journal of Physics and Chemistry of Solids - Volume 61, Issue 12, December 2000, Pages 2007-2012
نویسندگان
A.I. Lebedev, A.V. Michurin, I.A. Sluchinskaya, V.N. Demin, I.H. Munro,