کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1136104 1489132 2013 9 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Scattering basis representation in ballistic transport simulations of nanowire transistors
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی کنترل و سیستم های مهندسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Scattering basis representation in ballistic transport simulations of nanowire transistors
چکیده انگلیسی

The paper presents a basis expansion scheme for atomistic transport simulations in nanowire MOSFETs. Two simple methods are formulated to calculate current carrying states using a low-dimensional device Hamiltonian in the scattering basis representation. The proposed methods are computationally very cheap and their utility is confirmed by test self-consistent calculations in a p-Si nanowire device.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Mathematical and Computer Modelling - Volume 58, Issues 1–2, July 2013, Pages 312–320
نویسندگان
, , ,