کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1136104 | 1489132 | 2013 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Scattering basis representation in ballistic transport simulations of nanowire transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
کنترل و سیستم های مهندسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The paper presents a basis expansion scheme for atomistic transport simulations in nanowire MOSFETs. Two simple methods are formulated to calculate current carrying states using a low-dimensional device Hamiltonian in the scattering basis representation. The proposed methods are computationally very cheap and their utility is confirmed by test self-consistent calculations in a p-Si nanowire device.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Mathematical and Computer Modelling - Volume 58, Issues 1–2, July 2013, Pages 312–320
Journal: Mathematical and Computer Modelling - Volume 58, Issues 1–2, July 2013, Pages 312–320
نویسندگان
Gennady Mil’nikov, Nobuya Mori, Yoshinari Kamakura,