کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1136846 | 1489171 | 2010 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A compact quantum surface potential model for a MOSFET device
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
کنترل و سیستم های مهندسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Quantum confinement effect near the silicon/silicon-oxide interface reduces the total channel charge, capacitance, current but it increases the surface potential of the MOSFET device due to thin gate dielectric (below 4 nm). The surface potential compact models with quantum effect are usually derived using a semiconductor band gap widening approach. In this paper we construct a compact surface potential model for the MOS structure directly from the Density Gradient (DG) equations.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Mathematical and Computer Modelling - Volume 51, Issues 7–8, April 2010, Pages 893–900
Journal: Mathematical and Computer Modelling - Volume 51, Issues 7–8, April 2010, Pages 893–900
نویسندگان
Hedley C. Morris, Henok Abebe,