کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1136847 | 1489171 | 2010 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Compact subthreshold current and capacitance modeling of short-channel double-gate MOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
کنترل و سیستم های مهندسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A precise two-dimensional subthreshold current and capacitance modeling of short-channel, nanoscale double-gate MOSFETs is presented. The model covers a wide range of geometries and material combinations. The subthreshold model is based on conformal mapping techniques. The results are in excellent agreement with numerical simulations.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Mathematical and Computer Modelling - Volume 51, Issues 7–8, April 2010, Pages 901–907
Journal: Mathematical and Computer Modelling - Volume 51, Issues 7–8, April 2010, Pages 901–907
نویسندگان
U. Monga, H. Børli, T.A. Fjeldly,