کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1137416 | 1489179 | 2009 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Relaxation limit and initial layer analysis of a bipolar hydrodynamic model for semiconductors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
کنترل و سیستم های مهندسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper is concerned with a bipolar hydrodynamical model for semiconductors or plasma with short momentum relaxation time in several space variables. We first construct formal approximations of the initial layer solution to the nonlinear problem by the matched expansion method. Then, assuming some regularity of the solution to the reduced problem and using the energy method, we prove the global existence of classical solutions, and justify the validity of the formal approximations in any fixed compact subset of the uniform time interval and give the convergence rate up to any order.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Mathematical and Computer Modelling - Volume 50, Issues 3–4, August 2009, Pages 470–480
Journal: Mathematical and Computer Modelling - Volume 50, Issues 3–4, August 2009, Pages 470–480
نویسندگان
Yeping Li,