کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1139102 | 1489412 | 2014 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A comprehensive characterization of the threshold voltage extraction in MOSFETs transistors based on smoothing splines
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
کنترل و سیستم های مهندسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this work we propose a method to obtain the MOSFET transistor threshold voltage, which is known to be an essential magnitude from the modeling viewpoint. Generally, there are a large number N of experimental data, and the use of smoothing splines leads to resolution of linear systems of size N + d, where d depends on the degree of the splines used. The computational effort could be reduced by decomposing the original problem into subproblems and using an appropriate method to combine the corresponding solutions. We adopt this idea, considering for simplicity the decomposition into two subsets and using a boolean sum based method for combining the intermediate spline approximants.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Mathematics and Computers in Simulation - Volume 102, August 2014, Pages 1–10
Journal: Mathematics and Computers in Simulation - Volume 102, August 2014, Pages 1–10
نویسندگان
M.J. Ibáñez, J.B. Roldán, A.M. Roldán, R. Yáñez,