کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1258748 | 971635 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of oxygen pressure on electrical transport properties for (110) oriented La2/3Sr1/3MnO3 films directly deposited on silicon
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
XRD patterns of La2/3Sr1/3MnO3 films directly deposited on Si substrate at various oxygen pressures (a) and oxygen pressure dependence of position and FWHM for (110) diffraction peak (b)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Rare Earths - Volume 31, Issue 4, April 2013, Pages 376-380
Journal: Journal of Rare Earths - Volume 31, Issue 4, April 2013, Pages 376-380
نویسندگان
Tingxian (æå»·å
), Kuoshe (ææ©ç¤¾), Dunbo (äºæ¦æ³¢), Feipeng (å¼ é£é¹), Ming (å¼ é), Fengjun (äºå¤å),