کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1264360 | 972124 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Multi layer structure for encapsulation of organic transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A novel encapsulation structure to protect organic thin film transistors against oxygen and moisture contaminations is presented. The sealing architecture is comprised of three-layers: aluminum oxide deposited by means of Atomic Layer Deposition is the actual capping layer, while cross-linked poly-vinylphenol and poly-vinylphenol prevent the contamination/damage of the underlying organic semiconductor during the oxide growth. The process has negligible impact on device mobility but it enables poly-3-hexylthiophene based transistors to operate with an on/off ratio in excess of 103 even after 100 days of continuous ambient air exposure.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 10, Issue 4, July 2009, Pages 692–695
Journal: Organic Electronics - Volume 10, Issue 4, July 2009, Pages 692–695
نویسندگان
Luca Fumagalli, Maddalena Binda, Inma Suarez Lopez, Dario Natali, Marco Sampietro, Sandro Ferrari, Luca Lamagna, Marco Fanciulli,