کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1264401 | 972134 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High gain in hybrid transistors with vanadium oxide/tris(8-hydroxyquinoline) aluminum emitter
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: High gain in hybrid transistors with vanadium oxide/tris(8-hydroxyquinoline) aluminum emitter High gain in hybrid transistors with vanadium oxide/tris(8-hydroxyquinoline) aluminum emitter](/preview/png/1264401.png)
چکیده انگلیسی
We report the electrical characterization of hybrid permeable-base transistors with tris(8-hydroxyquinoline) aluminum as emitter layer. These transistors were constructed presenting an Al/n-Si/Au/Alq3/V2O5/Al structure. We investigate the influence of the V2O5 layer thickness and demonstrate that these devices present high common-base and common-emitter current gain, and can be operated at very low driving voltages, lower than 1 V, in both, common-base and common-emitter modes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 8, Issue 4, August 2007, Pages 311–316
Journal: Organic Electronics - Volume 8, Issue 4, August 2007, Pages 311–316
نویسندگان
Mingdong Yi, Shunyang Yu, Chengang Feng, Tong Zhang, Dongge Ma, M.S. Meruvia, Ivo A. Hümmelgen,