کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1264420 | 972134 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Improved pentacene device characteristics with sol-gel SiO2 dielectric films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The interfacial interactions between semiconductors and gate dielectrics have a profound influence on the device characteristics of field effect transistors (FETs). This paper reports on the concept of introducing a sol-gel SiO2 as inorganic capping layer to significantly improve device characteristics of pentacene-based FETs. The smoother film surfaces of sol-gel SiO2 (1.9Â Ã
root-mean-square) induced larger pentacene grain sizes, and led to hole mobilities of 1.43Â cm2/Vs, on-off ratio of 107, and a subthreshold swing of 102Â mV/decade when operating at â20Â V.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 8, Issue 4, August 2007, Pages 455-459
Journal: Organic Electronics - Volume 8, Issue 4, August 2007, Pages 455-459
نویسندگان
T. Cahyadi, H.S. Tan, E.B. Namdas, S.G. Mhaisalkar, P.S. Lee, Z.-K. Chen, C.M. Ng, F.Y.C. Boey,