کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1264809 | 972179 | 2010 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fully gravure and ink-jet printed high speed pBTTT organic thin film transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Organic thin film transistors with channel lengths below 20 μm have been fabricated on plastic substrates using a combination of rotogravure and ink-jet printing exclusively. Gravure is utilized to deposit thin, smooth, and narrow metal lines ideal for gate electrodes; a poly(4-vinylphenol) dielectric; and a poly(2,5-bis(3-tetradecylthiophene-2-yl)thieno[3,2-b]thiophene) (pBTTT) semiconductor using a heated roll. A novel fluid guiding technique is used to maintain closely spaced ink-jet printed source and drain (S/D) contacts. Together these printing processes yield aggressively scaled yet easily manufacturable TFTs with operating frequencies of 18 kHz.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 11, Issue 12, December 2010, Pages 2037–2044
Journal: Organic Electronics - Volume 11, Issue 12, December 2010, Pages 2037–2044
نویسندگان
Alejandro de la Fuente Vornbrock, Donovan Sung, Hongki Kang, Rungrot Kitsomboonloha, Vivek Subramanian,