کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1265093 | 972194 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High-performance C60 and picene thin film field-effect transistors with conducting polymer electrodes in bottom contact structure
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: High-performance C60 and picene thin film field-effect transistors with conducting polymer electrodes in bottom contact structure High-performance C60 and picene thin film field-effect transistors with conducting polymer electrodes in bottom contact structure](/preview/png/1265093.png)
چکیده انگلیسی
C60 and picene thin film field-effect transistors (FETs) in bottom contact structure have been fabricated with poly(3,4-ethylenedioxythiophene): poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS) electrodes for a realization of mechanical flexible organic FETs. The C60 thin film FETs showed n-channel enhancement-type characteristics with the field-effect mobility μ value of 0.41 cm2 V−1 s−1, while the picene thin film FET showed p-channel enhancement-type characteristics with the μ of 0.61 cm2 V−1 s−1. The μ values recorded for C60 and picene thin film FETs are comparable to those for C60 and picene thin film FETs with Au electrodes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 10, Issue 3, May 2009, Pages 432–436
Journal: Organic Electronics - Volume 10, Issue 3, May 2009, Pages 432–436
نویسندگان
Yumiko Kaji, Ryoji Mitsuhashi, Xuesong Lee, Hideki Okamoto, Takashi Kambe, Naoshi Ikeda, Akihiko Fujiwara, Minoru Yamaji, Kenji Omote, Yoshihiro Kubozono,