کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1265908 | 972246 | 2006 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Polythiophene in strong electrostatic fields
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Field evaporation of polythiophene as studied in the scanning atom probe, yields as the dominant fragment SC4Hn2+, n = 0, 1, 2, 3, with a host of other singly and doubly charged fragments. Using density functional theory we show how this fragmentation is achieved in high electrostatic fields (larger than 1 V/Å) which are strong enough to close the HOMO–LUMO gap. The resulting charge transfer to the metal substrate weakens intramolecular bonds. The effect of boron substitution originating from the BF4-dopant in the electrolyte used for the polymerization of polythiophene is also addressed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 7, Issue 2, April 2006, Pages 99–106
Journal: Organic Electronics - Volume 7, Issue 2, April 2006, Pages 99–106
نویسندگان
L.R.C. Wang, H.J. Kreuzer, O. Nishikawa,