کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1267917 | 972385 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Controlled tunnel-coupled ferromagnetic electrodes for spin injection in organic single-crystal transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We report on single-crystal rubrene field-effect transistors (FETs) with ferromagnetic Co electrodes, tunnel-coupled to the conduction channel via an Al2O3 tunnel barrier. Magnetic and electronic characterization shows that the Al2O3 film not only protects the Co from undesired oxidation, but also provides a highly controlled tunnel barrier for overcoming the conductivity mismatch problem when injecting spins from a ferromagnetic metal into a semiconductor. Our FETs provide a significant step towards the realization of a device that integrates FET and spin-valve functionality, one of the major goals of spintronics.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 11, Issue 5, May 2010, Pages 743–747
Journal: Organic Electronics - Volume 11, Issue 5, May 2010, Pages 743–747
نویسندگان
W.J.M. Naber, M.F. Craciun, J.H.J. Lemmens, A.H. Arkenbout, T.T.M. Palstra, A.F. Morpurgo, W.G. van der Wiel,