کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1268067 | 1496842 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A cross-linked poly(methyl methacrylate) gate dielectric by ion-beam irradiation for organic thin-film transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The electrical characteristics of pentacene organic thin-film transistors (OTFTs) using cross-linked poly(methyl methacrylate) (PMMA) as the gate dielectric are reported. Ultra-thin films of cross-linked PMMA could be obtained by spin-coating and subsequent irradiation using a 1.515 MeV 4He+ ion beam. The resulting film, with a thickness of 33 nm, possessed a low leakage current density of about 10−6 A cm−2 for fields up to 2 MV cm−1. OTFTs incorporating the cross-linked dielectric operated at relatively low voltages, <10 V, and exhibited a mobility of 1.1 cm2 V−1 s−1, a threshold voltage of −1 V, a sub-threshold slope of 220 mV per decade and an on/off current ratio of 1.0 × 106.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 10, Issue 8, December 2009, Pages 1596–1600
Journal: Organic Electronics - Volume 10, Issue 8, December 2009, Pages 1596–1600
نویسندگان
Youngjun Yun, Christopher Pearson, Duncan H. Cadd, Richard L. Thompson, Michael C. Petty,