کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1268287 | 972399 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Flexible high mobility pentacene transistor with high-k/low-k double polymer dielectric layer operating at −5 V
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report on the fabrication of pentacene-based thin-film transistors (TFTs) with a 230 nm-thick double polymer dielectric composed of 30 nm-thin low-k poly-4-vinyphenol (PVP) and 200 nm-thick high-k poly(vinylidene fluoride/trifluoroethylene) [P(VDF–TrFE)] dielectric on polyethersulfone (PES) films. Our 230 nm-thick double (high-k/low-k) polymer showed a good dielectric strength of ∼2 MV/cm, a high capacitance of 26 nF/cm2 with k = ∼7. Based on this double polymer dielectric, our flexible pentacene TFT displayed a high saturation mobility of 1.22 cm2/V s, a threshold voltage of −2.5 V, and on/off ratio of 103, stably operating under −5 V.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 10, Issue 1, February 2009, Pages 194–198
Journal: Organic Electronics - Volume 10, Issue 1, February 2009, Pages 194–198
نویسندگان
Kwang H. Lee, Kimoon Lee, Min Suk Oh, Jeong-M. Choi, Seongil Im, Sungjin Jang, Eugene Kim,