کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1268567 | 972410 | 2008 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Air stable C60 based n-type organic field effect transistor using a perfluoropolymer insulator
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Air stable n-type organic field effect transistors (OFETs) based on C60 are realized using a perfluoropolymer as the gate dielectric layer. The devices showed the field-effect mobility of 0.049 cm2/V s in ambient air. Replacing the gate dielectric material by SiO2 resulted in no transistor action in ambient air. Perfluorinated gate dielectric layer reduces interface traps significantly for the n-type semiconductor even in air.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 9, Issue 4, August 2008, Pages 481–486
Journal: Organic Electronics - Volume 9, Issue 4, August 2008, Pages 481–486
نویسندگان
Junhyuk Jang, Ji Whan Kim, Nohhwal Park, Jang-Joo Kim,