کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1442314 | 1509439 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Improved device performance based on crosslinking of poly (3-hexylthiophene)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
بیومتریال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Diode devices (glass/ITO/polymer/Al) have been fabricated using poly (3-hexylthiophene) (P3HT) crosslinked with two different biaryl crosslinkers. Crosslinking was performed by exposing the thin films with different wt% of crosslinker to UV irradiation and progress of crosslinking was monitored by IR spectroscopy. An increase in hole mobility of two orders of magnitude has been observed after crosslinking.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Synthetic Metals - Volume 160, Issues 19â20, October 2010, Pages 2061-2064
Journal: Synthetic Metals - Volume 160, Issues 19â20, October 2010, Pages 2061-2064
نویسندگان
Manoj Gaur, Jaya Lohani, R. Raman, V.R. Balakrishnan, P. Raghunathan, S.V. Eswaran,