کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1443957 | 1509478 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Dedoping of organic semiconductors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
بیومتریال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
An effective dedoping method for organic semiconductors using tetrakisdimethylaminoethylene (TDAE) was demonstrated using poly(3-hexylthiophene) thin film transistors in top gate configuration. Devices were treated after production and showed improved on/off ratios of up to 105 with little change in the field effect mobility.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Synthetic Metals - Volume 156, Issues 11–13, 1 June 2006, Pages 769–772
Journal: Synthetic Metals - Volume 156, Issues 11–13, 1 June 2006, Pages 769–772
نویسندگان
D.M. Russell, T. Kugler, C.J. Newsome, S.P. Li, M. Ishida, T. Shimoda,