کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1443972 | 1509478 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The effect of C60 doped interlayer for lifetime improvement of phosphorescent light emitting diodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
بیومتریال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The effect of C60 doped interlayer between poly(3,4-ethylenedioxythiophene:poly(styrenesulfonate) (PEDOT) and light emitting layer on the lifetime of phosphorescent organic light emitting diodes was investigated by changing the C60 content from 0% to 3%. Doping of C60 in 1,3,5-tris(N,N-bis-(4,5-methoxyphenyl)-aminophenyl)benzol (TDAPB) resulted in the increase of lifetime by more than 100% compared with lifetime of non-doped devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Synthetic Metals - Volume 156, Issues 11–13, 1 June 2006, Pages 852–855
Journal: Synthetic Metals - Volume 156, Issues 11–13, 1 June 2006, Pages 852–855
نویسندگان
Jun Yeob Lee,