کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1474979 991106 2010 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Development of PLZT dielectrics on base metal foils for embedded capacitors
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Development of PLZT dielectrics on base metal foils for embedded capacitors
چکیده انگلیسی

We have deposited Pb0.92La0.08Zr0.52Ti0.48O3 (PLZT) films on nickel and copper substrates to create film-on-foil capacitors that exhibit excellent dielectric properties and superior breakdown strength. Measurements with PLZT films on LaNiO3-buffered Ni foils yielded the following: relative permittivity of 1300 (at 25 °C) and 1800 (at 150 °C), leakage current density of 6.6 × 10−9 A/cm2 (at 25 °C) and 1.4 × 10−8 A/cm2 (at 150 °C), and mean breakdown field strength ≈2.5 MV/cm. With PLZT deposited directly on Cu foils, we observed dielectric constant ≈1100, dielectric loss (tan δ) ≈0.06, and leakage current density of 7.3 × 10−9 A/cm2 when measured at room temperature.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of the European Ceramic Society - Volume 30, Issue 2, January 2010, Pages 365–368
نویسندگان
, , , ,