کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1481734 | 991538 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ambipolar a-SiGe:H thin-film transistors fabricated at 200 °C
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Ambipolar a-SiGe:H thin-film transistors fabricated at 200 °C Ambipolar a-SiGe:H thin-film transistors fabricated at 200 °C](/preview/png/1481734.png)
چکیده انگلیسی
⺠Ambipolar characteristics of a-SiGe:H TFTs fabricated at 200 °C were obtained. ⺠Subthreshold slope for both regions is an improvement for low-temperature TFTs. ⺠Spin-On Glass as the gate insulator improved the insulator-semiconductor interface. ⺠a-SiGe:H film has a higher Density of States due to the incorporation of Ge.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 358, Issue 17, 1 September 2012, Pages 2340-2343
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 358, Issue 17, 1 September 2012, Pages 2340-2343
نویسندگان
Miguel Dominguez, Pedro Rosales, Alfonso Torres, Mario Moreno, Joel Molina, Francisco De la Hidalga, Carlos Zuniga, Wilfrido Calleja,