کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1481810 1510479 2012 7 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Absorption and luminescence in amorphous SixGe1-xO2 films fabricated by SPCVD
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Absorption and luminescence in amorphous SixGe1-xO2 films fabricated by SPCVD
چکیده انگلیسی
► Ge-doped silica (SPCVD) deposited films do not expose ODC under excitation 5 eV photons. ► Fusion of films reveals the absorption and luminescence bands of permanent ODCs. ► 6.4 eV excimer laser yields transient ODCs revealed from a latent state.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 358, Issues 12–13, 1 July 2012, Pages 1538-1544
نویسندگان
, , ,