کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1481810 | 1510479 | 2012 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Absorption and luminescence in amorphous SixGe1-xO2 films fabricated by SPCVD
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Ge-doped silica (SPCVD) deposited films do not expose ODC under excitation 5 eV photons. ⺠Fusion of films reveals the absorption and luminescence bands of permanent ODCs. ⺠6.4 eV excimer laser yields transient ODCs revealed from a latent state.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 358, Issues 12â13, 1 July 2012, Pages 1538-1544
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 358, Issues 12â13, 1 July 2012, Pages 1538-1544
نویسندگان
A.N. Trukhin, K.M. Golant, J. Teteris,