کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1483997 | 1510514 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of capacitance–voltage characteristics in Ge /high-κ MOS devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Investigation of capacitance–voltage characteristics in Ge /high-κ MOS devices Investigation of capacitance–voltage characteristics in Ge /high-κ MOS devices](/preview/png/1483997.png)
چکیده انگلیسی
We developed a one-dimensional numerical simulation code for the calculation of the gate voltage–capacitance characteristic of MOS structures including the self-consistently solving of the Schrödinger and Poisson equations for different alternative channel materials with high mobility such as Ge, and non-conventional gate dielectrics such as HfO2 and Al2O3. Our simulation results are confronted to experimental data for various MOS structures with different semiconductors and dielectric stacks.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 355, Issues 18–21, 1 July 2009, Pages 1171–1175
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 355, Issues 18–21, 1 July 2009, Pages 1171–1175
نویسندگان
M. Moreau, D. Munteanu, J.-L. Autran, F. Bellenger, J. Mitard, M. Houssa,