کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1484651 | 1510525 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Junction capacitance study of an oxygen impurity defect exhibiting configuration relaxation in amorphous silicon–germanium alloys deposited by hot-wire CVD
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
73.50.Gr71.55.Jv71.23.CqPhotoinduced effects - اثرات عکس دیجیتالAbsorption - جذبDielectric properties, relaxation, electric modulus - خواص دی الکتریک، آرام سازی، مدول الکتریکیChemical vapor deposition - رسوب بخار شیمیایی یا انباشت به روش تبخیر شیمیاییSolar cells - سلول های خورشیدیsilicon - سیلیسیم Optical spectroscopy - طیف سنجی نوریdefects - عیوبPhotovoltaics - فتوولتاییکgermanium - ژرمانیوم
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report the observation of light induced electron capture in oxygen contaminated (∼5 × 1020 cm−3) hydrogenated amorphous silicon–germanium alloys grown by hot-wire chemical vapor deposition (HWCVD). By examining the time evolution of dark capacitance after 1.2 eV photoexcitation, we are able to estimate the free energy barrier (⩾0.8 eV) for the release of electrons into the conduction band. Such a large thermal barrier, for a defect whose optical threshold is centered (∼1.35 eV) so close to the band-gap (1.5 eV), indicates significant configurational relaxation once the oxygen impurity state is occupied with photoexcited electrons.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 354, Issues 19–25, 1 May 2008, Pages 2126–2130
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 354, Issues 19–25, 1 May 2008, Pages 2126–2130
نویسندگان
Shouvik Datta, J. David Cohen, Yueqin Xu, A.H. Mahan, Howard M. Branz,