کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1484689 | 1510525 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Excimer laser crystallization of microcrystalline silicon for TFTs on flexible substrate
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Microcrystalline silicon (μc-Si) films have been deposited on PDMS as well as on PEN substrate. Excimer laser annealing was used to improve the crystalline structure and so to obtain high mobility TFTs. The effect of the laser annealing on the crystalline structure of silicon films is studied using different characterization techniques and discussed. Mobility values of 60 cm2/V s with PDMS and 46 cm2/V s with PEN are obtained.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 354, Issues 19–25, 1 May 2008, Pages 2300–2304
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 354, Issues 19–25, 1 May 2008, Pages 2300–2304
نویسندگان
Tanguy Pier, Khalid Kandoussi, Claude Simon, Nathalie Coulon, Tayeb Mohammed-Brahim, Hervé Lhermite,