کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1484716 | 1510525 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Transport properties of nanocrystalline silicon and silicon–germanium
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Transport properties of nanocrystalline silicon and silicon–germanium Transport properties of nanocrystalline silicon and silicon–germanium](/preview/png/1484716.png)
چکیده انگلیسی
We report on the minority carrier lifetime, diffusion length and mobility in nanocrystalline Si and (Si,Ge) p+nn+ devices. The devices were fabricated on stainless steel using VHF plasma deposition techniques. Minority carrier lifetime was measured using junction reverse recovery techniques. The minority carrier lifetime was found to be well correlated with the inverse of defect density and increased with increasing measurement temperature. Simultaneous measurement of diffusion length and lifetime yielded values for hole mobility.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 354, Issues 19–25, 1 May 2008, Pages 2426–2429
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 354, Issues 19–25, 1 May 2008, Pages 2426–2429
نویسندگان
Satya Saripalli, Puneet Sharma, P. Reusswig, Vikram Dalal,