کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1484733 1510525 2008 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of crystalline volume fraction on the performance of high mobility microcrystalline silicon thin-film transistors
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Influence of crystalline volume fraction on the performance of high mobility microcrystalline silicon thin-film transistors
چکیده انگلیسی

The influence of the crystalline volume fraction of hydrogenated microcrystalline silicon on the device performance of thin-film transistors fabricated at temperatures below 200 °C was investigated. Transistors employing microcrystalline silicon channel material prepared close to the transition to amorphous growth regime exhibit the highest charge carrier mobilities exceeding 50 cm2/V s. The device parameters like the charge carrier mobility, the threshold voltage and the subthreshold slope will be discussed with respect to the crystalline volume fraction of the intrinsic microcrystalline silicon material.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 354, Issues 19–25, 1 May 2008, Pages 2505–2508
نویسندگان
, , , ,