کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1484733 | 1510525 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Influence of crystalline volume fraction on the performance of high mobility microcrystalline silicon thin-film transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The influence of the crystalline volume fraction of hydrogenated microcrystalline silicon on the device performance of thin-film transistors fabricated at temperatures below 200 °C was investigated. Transistors employing microcrystalline silicon channel material prepared close to the transition to amorphous growth regime exhibit the highest charge carrier mobilities exceeding 50 cm2/V s. The device parameters like the charge carrier mobility, the threshold voltage and the subthreshold slope will be discussed with respect to the crystalline volume fraction of the intrinsic microcrystalline silicon material.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 354, Issues 19–25, 1 May 2008, Pages 2505–2508
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 354, Issues 19–25, 1 May 2008, Pages 2505–2508
نویسندگان
Kah-Yoong Chan, Dietmar Knipp, Aad Gordijn, Helmut Stiebig,