کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1484942 | 1510532 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Optical absorption spectra of a-Si:H MIS structure measured by transient photocapacitance spectroscopy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The transient photocapacitance spectroscopy (TPC) was applied to measure the optical absorption spectra of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) in metal-insulator-semiconductor (MIS) structure. The measured spectra show the features of optical transitions from both D0 and Dâ defect bands to conduction band. The stability of measurement was checked against the change of probe frequency. The availability of TPC in detecting the defect density changes was also tested by checking the well-known defect density increase in a-Si:H after light illumination.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 353, Issues 44â46, 15 November 2007, Pages 4174-4177
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 353, Issues 44â46, 15 November 2007, Pages 4174-4177
نویسندگان
Geuk-Jeong Bang, Hyuk-Ryeol Park,