کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1484944 | 1510532 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Deposition of amorphous fluorosilane thin film on silicon surface: Atomic simulation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We utilized the Tersoff–Brenner potential form potential to investigate SiF3 continuously bombarding silicon surface with energies of 10, 50 and 100 eV at normal incidence and room temperature by molecular dynamics method. The saturation of deposition yield of F and Si atoms on the surface is observed. A F-containing amorphous layer is formed whose thickness increases with incident energy. In the ejected gas-phase species, F, SiF and SiF2 species increases with increasing incident energy, while the amount of SiF3 species decreases.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 353, Issues 44–46, 15 November 2007, Pages 4186–4190
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 353, Issues 44–46, 15 November 2007, Pages 4186–4190
نویسندگان
Fujun Gou, Xu Ming, Sun Weili, T. Chen,