کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1484997 | 1510530 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of Pb impurity on the localized states of Se–Ge glassy alloy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Space charge limited conduction (SCLC) is investigated in vacuum evaporated thin films of (Ge20Se80)1−xPbx (x = 0, 0.02, 0.04, 0.06). I–V characteristics have been measured at various fixed temperatures. At high fields (∼104 V cm−1), current could be fitted to the theory of space charge limited conduction in case of uniform distribution of localized states in the mobility gap of these materials. Using the above theory, the density of localized states near Fermi level is calculated. A reversal in density of localized states is obtained at 4 at.% of Pb.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 353, Issues 52–54, 15 December 2007, Pages 4718–4722
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 353, Issues 52–54, 15 December 2007, Pages 4718–4722
نویسندگان
V.S. Kushwaha, A. Kumar,