کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1485076 | 1510529 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Selection of post-growth treatment parameters for atomic layer deposition of structurally disordered TiO2 thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
73.40.Qv73.20.At73.20.HbSTEM/TEM - STEM / TEMTEM/STEM - TEM / STEMRelaxation, electric modulus - آرامش، مدول الکتریکیHeavy metal oxides - اکسید فلزات سنگینThermally stimulated and depolarization current - جریان حرارتی تحریک شده و دپولاریاسیونDielectric properties - خواص دی الکتریکBand structure - ساختار باندdefects - عیوب
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Routes to atomic layer-deposited TiO2 films with decreased leakage have been studied by using electrical characterization techniques. The combination of post-deposition annealing parameters, time and temperature, which provides measurable aluminum-titanium oxide-silicon structures - i.e., having capacitance-voltage curves which show accumulation behavior - are 625 °C, 10 min for p-type substrates, and 550 °C, 10 min for n-type substrates. The best annealing conditions for p-type substrates are 625 °C with the length extended to 30 min, which produces an interfacial state density of about 5-6 Ã 1011 cmâ2 eVâ1, and disordered-induced gap state density below our experimental limits. We have also proved that a post-deposition annealing must be applied to TiO2/HfO2 and HfO2/TiO2/HfO2 stacked structures to obtain adequate measurability conditions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 354, Issues 2â9, 15 January 2008, Pages 404-408
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 354, Issues 2â9, 15 January 2008, Pages 404-408
نویسندگان
S. Dueñas, H. Castán, H. GarcÃa, L. Bailón, K. Kukli, J. Lu, M. Ritala, M. Leskelä,