کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1485671 | 1510540 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low-temperature Er3+ emission in Ge–S–Ga glasses excited by host absorption
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The photoluminescence (PL) of a series of (GeS2)80(Ga2S3)20 glasses doped with different amounts of Er (0.17, 0.35, 0.52, 1.05 and 1.39 at.%) at 77 and 4.2 K has been studied. The influence of the temperature on the emission cross-section of the PL bands at ∼1540, 980 and 820 nm under host excitation has been defined. A quenching effect of the host photoluminescence has been established from the compositional dependence of the PL intensity. It has been found that the present Er3+-doped Ge–S–Ga glasses posses PL lifetime values about 3.25 ms.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 353, Issues 13–15, 15 May 2007, Pages 1418–1421
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 353, Issues 13–15, 15 May 2007, Pages 1418–1421
نویسندگان
Z.G. Ivanova, Z. Aneva, R. Ganesan, D. Tonchev, E.S.R. Gopal, K.S.R.K. Rao, T.W. Allen, R.G. DeCorby, S.O. Kasap,