کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1486339 | 1510556 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Substrate temperature dependence of microcrystalline silicon growth by PECVD technique
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Undoped hydrogenated silicon films have been prepared from a gas mixture of silane and hydrogen, varying substrate temperature from 180-380 °C in an ultrahigh vacuum system using RFPECVD technique. XRD and Raman measurements enable us to know that the films are microcrystalline throughout the substrate temperature range. Bond formation of the SiH films at different substrate temperature is studied through different characterisation techniques like Fourier transform infrared spectroscopy and hydrogen evolution study. The infrared absorption spectroscopy and hydrogen evolution study reveal two types of growth: the formation of a void rich material at low Ts (â¼180 °C) and a compact material at comparatively higher Ts.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 352, Issues 9â20, 15 June 2006, Pages 1045-1048
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 352, Issues 9â20, 15 June 2006, Pages 1045-1048
نویسندگان
Sumita Mukhopadhyay, Amartya Chowdhury, Swati Ray,