کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1486371 | 1510556 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photo-carrier transport in nanocrystalline silicon films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Randomly distributed grain and grain boundaries dominate the electronic transport in hydrogenated nanocrystalline silicon films (nc-Si:H) at relatively high temperatures. At temperatures below 100 K, the effect of grain boundaries on photoconductivity is ignored and hence a standard transport model for homogeneous semiconductors can be applied to explain the experimental results. A reasonable value of μτ-product is predicted and is very close to that obtained experimentally. One of the important factors, an extent of barrier height distribution, can be also deduced from the present formulation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 352, Issues 9–20, 15 June 2006, Pages 1180–1183
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 352, Issues 9–20, 15 June 2006, Pages 1180–1183
نویسندگان
K. Shimakawa,