کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1486379 | 1510556 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
New approach to capacitance spectroscopy for interface characterization of a-Si:H/c-Si heterojunctions
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: New approach to capacitance spectroscopy for interface characterization of a-Si:H/c-Si heterojunctions New approach to capacitance spectroscopy for interface characterization of a-Si:H/c-Si heterojunctions](/preview/png/1486379.png)
چکیده انگلیسی
A new technique for characterization of interface defects in a-Si:H/c-Si heterostructure solar cells from capacitance spectroscopy measurements under illumination at forward bias close to open-circuit voltage is described. The proposed method allows to significantly increase the sensitivity to interface defects compared to conventional capacitance measurements at zero or small negative bias. Results of numerical modelling as well as experimental data obtained on n-type a-Si:H/p-type c-Si heterojunctions are presented. The sensitivity of the proposed method to interface states and the influence of various parameters like band mismatch, density of interface defects, recombination velocity at the back contact are discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 352, Issues 9–20, 15 June 2006, Pages 1213–1216
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 352, Issues 9–20, 15 June 2006, Pages 1213–1216
نویسندگان
A.S. Gudovskikh, J.P. Kleider, R. Stangl,