کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1493904 | 1510792 | 2015 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The formation of Yb silicates and its luminescence in Yb heavily doped silicon oxides after high temperature annealing
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We report on the formation of ytterbium (Yb) silicates and its photoluminescence (PL) properties for heavily Yb doped Si oxide films after various annealings. X-ray diffraction patterns and transmission electron microscopy indicate that different Yb silicates have formed in the oxides upon 1100 and 1200 °C annealing. The Yb PL intensities after the high temperature annealings are much stronger than those after lower temperatures, which indicates that the Yb silicates have higher emission efficiency than the Yb configurations found for lower temperature annealing. The PL intensities of the films can be altered considerably by secondary oxidizing or annealing in forming gas (N2 + 7% H2) ambience.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optical Materials - Volume 42, April 2015, Pages 17–23
Journal: Optical Materials - Volume 42, April 2015, Pages 17–23
نویسندگان
C.L. Heng, J.T. Li, W.Y. Su, Z. Han, P.G. Yin, T.G. Finstad,