کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1496147 | 992955 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photoluminescence study of thulium-doped silicon substrates for light emitting diodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Photoluminescence study of thulium-doped silicon substrates for light emitting diodes Photoluminescence study of thulium-doped silicon substrates for light emitting diodes](/preview/png/1496147.png)
چکیده انگلیسی
Photoluminescence in the 1.2–1.35 μm range has been observed in silicon substrates incorporating thulium in the trivalent Tm3+ state and co-doped with boron. The results showed eight sharp lines at 1211.5, 1231.0, 1250.8, 1269.3, 1283.8, 1290.6, 1311.3 and 1326.0 nm, corresponding to known internal Tm3+ transitions in the manifold from the 3H5 to the 3H6 ground states. The luminescence was strongly dependent on the sample fabrication processes. In this paper we will discuss the influence of Tm implantation parameters and post-implant annealing conditions on the photoluminescence response of silicon doped with Tm3+.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optical Materials - Volume 32, Issue 12, October 2010, Pages 1597–1600
Journal: Optical Materials - Volume 32, Issue 12, October 2010, Pages 1597–1600
نویسندگان
M.A. Lourenço, C. Opoku, R.M. Gwilliam, K.P. Homewood,