کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1496370 | 992961 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Switching from negative to positive nonlinear absorption in p type 0.5 at% Sn doped GaSe semiconductor crystal
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Switching from negative to positive nonlinear absorption in p type 0.5 at% Sn doped GaSe semiconductor crystal Switching from negative to positive nonlinear absorption in p type 0.5 at% Sn doped GaSe semiconductor crystal](/preview/png/1496370.png)
چکیده انگلیسی
The nonlinear absorption properties of p type 0.5 at% Sn doped GaSe crystal have been studied by using open-aperture Z-scan technique under 1064 nm wavelength and 4 ns or 65 ps pulse duration. A switching from negative nonlinear absorption (saturated absorption) to positive nonlinear absorption (two photon absorption) has been observed as the input laser irradiance increases from 0.049 GW/cm2 to 0.106 GW/cm2. The nonlinear absorption coefficient increases monotonically with the increase of pulse duration from 65 ps to 4 ns.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optical Materials - Volume 31, Issue 11, September 2009, Pages 1663–1666
Journal: Optical Materials - Volume 31, Issue 11, September 2009, Pages 1663–1666
نویسندگان
M. Yüksek, A. Elmali, M. Karabulut, G.M. Mamedov,