کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1496732 | 992973 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The effect of C–Al (Ga) codoping on p-type tendency in zinc oxide by first-principles
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The electronic structures of C, C–Al and C–Ga doped ZnO were investigated from the first-principles based on density functional theory (DFT). It was found that the C-doped ZnO where 1/8 Os are substituted by C is p-type with hole carriers locating nearby valence band maximum. Moreover, the Madelung energy increases in this case. Incorporating the reactive donor Al or Ga into C-doped ZnO system at Zn sites, not only enhances the C acceptor concentration, but also gets a shallower C acceptor energy level in the band gap in p-type codoped ZnO crystals and decreases the Madelung energy.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optical Materials - Volume 32, Issue 5, March 2010, Pages 595–598
Journal: Optical Materials - Volume 32, Issue 5, March 2010, Pages 595–598
نویسندگان
Chunying Zuo, Jing Wen, Shenglong Zhu, Cheng Zhong,