کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1497631 | 1510801 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The microstructure of low dose implanted GaN using Cr, Er, Eu and Yb ions
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Low dose rare earth implanted GaN is characterized by high resolution transmission electron microscopy: Cr, Er, Yb and Eu implantation in the range 1013-1014Â at./cm2 is investigated. The typical defect structure consists of a damaged layer containing a high density of stacking faults. Various sizes of I1 stacking faults were observed and the occurrence of large I1 faults (up to 200Â nm) is correlated with a high threading dislocations density in some of the GaN layers.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optical Materials - Volume 28, Issues 6â7, May 2006, Pages 763-766
Journal: Optical Materials - Volume 28, Issues 6â7, May 2006, Pages 763-766
نویسندگان
Florence Gloux, Pierre Ruterana,